東北大学 国際集積エレクトロニクス研究開発センター

東北大学

地域オープンイノベーション拠点

公募情報／公開情報

受賞・報道など

2018年度

報道

142 電気新聞
「電源切っても記録保持/東北大、省電力マイコン開発」
4面、2019/3/22
141 科学新聞
「スピントロニクス技術を用いた高性能・超低消費電力マイコン開発」
3面、2019/3/15
140 日本経済新聞　電子版
「実用化迫るスピントロニクス、チップ性能向上の壁挑む」
2019/3/15
139 日経産業新聞
「実用化迫るスピントロニクス、チップ性能向上の壁挑む、微細化・省電力期待高く」
6面、2019/3/15
138 EE Times Japan
「東北大学、高性能で低電力の不揮発マイコン開発」
2019/3/12
137 日経 XTECH　
「東北大がスピントロニクス活用のMCU（「ISSCC 2019 aiboの技術発表とデモンストレーションに高い関心」記事内）」
2019/3/11
136 fabcross
「動作周波数200MHz／平均消費電力50μW以下のスピントロニクス不揮発マイコンを実証　東北大学」
2019/3/11
135 エキサイトニュース
「【世界初】高性能と 超低消費電力を両立する不揮発マイコンを実証」
2019/3/8
134 宮崎日日新聞
「【世界初】高性能と 超低消費電力を両立する不揮発マイコンを実証」
2019/3/8
133 47NEWS
「【世界初】高性能と 超低消費電力を両立する不揮発マイコンを実証」
2019/3/8
132 共同通信PRWire
「【世界初】高性能と 超低消費電力を両立する不揮発マイコンを実証」
2019/3/8
131 Elektronikka Tietolikenne Nanotekniikka,
"Mullistava mikro-ohjain spintroniikalla",
2019/3/7
130 電子デバイス産業新聞
「電池レスで駆動　高性能不揮発マイコン」
3面、2019/3/7
129 SankeiBiz
「【ＰＣ　Ｗａｔｃｈ】東北大　「不揮発性マイコン」初実証」
2019/3/5
128 nanotechJapan
「スピントロニクス集積回路技術を用いて，高性能・超低消費電力不揮発マイコンを世界で初めて実証」
2019/3/1
127 ECN,
"A Nonvolatile Spintronics-Based 50 uW Microcontroller Unit Operating at 200 MHz",
2019/2/25
126 pvbuzz.com、
"Nonvolatile microcontroller unit chip provides the world’s highest processing performance of energy harvested from external sources such as solar power",
2019/2/23
125 財形新聞
「東北大の研究者ら、高性能・超低消費電力の不揮発性マイコンを開発」
2019/2/23
124 スラド
「東北大の研究者ら、高性能・超低消費電力の不揮発性マイコンを開発」
2019/2/22
123 Phys.Org,
"A nonvolatile spintronics-based 50uW microcontroller unit operating at 200MHz",
2019/2/22
122 Revolution-Green,
"IOT: Nonvolatile spintronics-based 200MHz microcontroller consuming only 50 micro-watts",
2019/2/22
121 STRN,
"Development of Nonvolatile Spintronics-Based 50μW Microcontroller Unit Operating at 200mhz",
2019/2/22
120 Asia Research News,
"Development of Nonvolatile Spintronics-Based 50μW Microcontroller Unit Operating at 200mhz",
2019/2/21
119 Science Daily,
"Development of Nonvolatile Spintronics-Based 50μW Microcontroller Unit Operating at 200mhz",
2019/2/21
118 Bioengineer.org,
"Development of Nonvolatile Spintronics-Based 50μW Microcontroller Unit Operating at 200mhz",
2019/2/21
117 EurekAlert!,
"Development of Nonvolatile Spintronics-Based 50μW Microcontroller Unit Operating at 200mhz",
2019/2/20
116 EurekAlert!
「世界に先駆け、200MHzで50μW以下の高性能・低消費電力スピントロニクス不揮発マイコンを実証 」
2019/2/20
115 10pic.jp,
「東北大、バッテリなしで動作するIoT向け不揮発性マイコンを世界初実証」
2019/2/19
114 CERON,
「東北大、バッテリなしで動作するIoT向け不揮発性マイコンを世界初実証」
2019/2/19
113 日本の研究.com
「スピントロニクス集積回路技術を用いて、高性能（動作周波数２００ＭＨｚ）と超低消費電力（平均電力５０μＷ以下）を両立する不揮発マイコンを世界で初めて実証」
2019/2/19
112 スマートジャパン
「スピントロニクス集積回路技術を用いて、高性能（動作周波数２００ＭＨｚ）と超低消費電力（平均電力５０μＷ以下）を両立する不揮発マイコンを世界で初めて実証」
2019/2/19
111 J-Net21
「スピントロニクス集積回路技術を用いて、高性能（動作周波数２００ＭＨｚ）と超低消費電力（平均電力５０μＷ以下）を両立する不揮発マイコンを世界で初めて実証」
2019/2/19
110 YAHOO ! ニュース
「東北大、バッテリなしで動作するIoT向け不揮発性マイコンを世界初実証」
2019/2/19
109 日本経済新聞　電子版
「東北大、スピントロニクス集積回路技術で高性能と超低消費電力を両立する不揮発マイコンを実証」
2019/2/19
108 OPTRONICS ON LINE
「東北大，スピントロニクスで高性能／低消費電力MCUを開発」
2019/2/19
107 PC Watch
「東北大、バッテリなしで動作するIoT向け不揮発性マイコンを世界初実証」
2019/2/19
106 日本経済新聞　
「マイコン、電池不要 - 東北大、顔認証の演算可能」
14面、2019/2/19
105 QRZ.ru,
"Созданы 128 Мб чипы STT-MRAM памяти, имеющие рекордно быстрое время записи информации",
2019/1/14
104 DXnews.com,
"Researchers design 128 mb STT MRAM",
2019/1/14
103 POP YARD,
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world's fastest write speed for embedd",
2019/1/10
102 KALDATA,
"Нови 128 MB чипове STT-MRAM памет с рекордно бързо време на запис",
2019/1/9
101 TRINITY IT es,
"Researchers develop world’s fastest write speed for embedded memorｙ",
2019/1/7
100 Always Researching,
"WORLD’S FASTEST STT-MRAM",
2019/1/6
99 50cnnet.com,
"日本东北大学开发出写入速度达14纳秒的自旋转移矩磁性随机存储器",
2019/1/4
98 ko.com.ua,
"Создан самый быстрый чип магниторезистивной памяти",
2019/1/4
97 ntboxmag,
"128 MB STT-MRAM: Dünyanın En Hızlı Yazma Hızı",
2019/1/3
96 inovacao tecnologica,
"STT-MRAM de 128Mb: Memórias spintrônicas a um passo do mercado",
2019/1/3
95 IConnect007,
"Researchers Develop 128Mb STT-MRAM",
2019/1/2
94 HPCwire,
"Researchers Develop 128Mb STT-MRAM with World’s Fastest Write Speed for Embedded Memory",
2019/1/2
93 AZO MATERIALS
"STT-MRAM with Fastest Write Speed Developed for Use in Embedded Memory Applications",
2019/12/31
92 FREDDYTHEFOX
"RESEARCHERS DEVELOP 128MB STT-MRAM WITH WORLD’S FASTEST WRITE SPEED FOR EMBEDDED MEMORY — SCIENCEDAILY",
2018/12/29
91 Engineers Forum
"Researchers Develop 128Mb STT-MRAM With World’s Fastest Write Speed For Embedded Memory",
2018/12/29
90 LIFE HACK MAG
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world’s fastest write speed for embedded memory",
2018/12/29
89 uschinaren.com
"日本东北大学开发出写入速度达14纳秒的自旋转移矩磁性随机存储器",
2018/12/29
88 scienza3000
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world’s fastest write speed for embedded memory",
2018/12/29
87 new.qq.com
"新型自旋转移矩磁性随机存储器：写入速度达14纳秒！",
2018/12/29
86 GoldNotTrash
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world’s fastest write speed for embedded memory",
2018/12/28
85 Programming News Payments & Trade Networks,
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world’s fastest write speed for embedded memory",
2018/12/28
84 e Science News
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world’s fastest write speed for embedded memory",
2018/12/28
83 epeak
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world’s quickest write pace for embedded reminiscence — ScienceDaily",
2018/12/28
82 Brightsurf.com
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world’s fastest write speed for embedded memory",
2018/12/28
81 PHYS ORG
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world’s fastest write speed for embedded memory",
2018/12/28
80 Scifi Hours
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world’s fastest write speed for embedded memory",
2018/12/28
79 TECRITER
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world’s quickest write pace for embedded reminiscence — ScienceDaily",
2018/12/28
78 tekk.tv
"Forscher entwickeln 128-MBit-STT-MRAM mit der weltweit schnellsten Schreibgeschwindigkeit für eingebettete Speicher",
2018/12/28
77 Power Systems Design
"The World's Fastest Write Speed for Embedded Memory",
2018/12/28
76 AlphaGalelio
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world's fastest write speed for embedded memory",
2018/12/28
75 asia RESEARCH NEWS
"Researchers develop 128Mb STT-MRAM with world's fastest write speed for embedded memory",
2018/12/28
74 bp-Affairs
「世界最高書き込み速度性能を有するSTT-MRAMの開発に成功」
2018/12/10
73 財経新聞
「東北大、書込み14ナノ秒の128MビットMRAMを開発　不揮発性メモリが新市場生むか」
2018/12/6
72 Electronic Specifier
"Experiment confirms high-speed potential of STT-MRAM",
2018/12/5
71 PRESSEBOX
"Advantest and Tohoku University CIES Demonstrate High-Speed Operation of 128 Mb Density STT-MRAM Using an Advantest Memory Test System",
2018/12/5
70 Public.
"Advantest and Tohoku University CIES Demonstrate High-Speed Operation of 128 Mb Density STT-MRAM Using an Advantest Memory Test System",
2018/12/5
69 ADVANTEST
「当社メモリ・テスト・システムによる128 Mb 密度STT-MRAM の高速動作実証実験に成功」
2018/12/5
68 Owler
"Advantest : and Tohoku University CIES Demonstrate High-Speed Operation of 129 Mb Density STT-MRAM Using an Advantest Memory Test System",
2018/12/5
67 MarketScreener
"Advantest : and Tohoku University CIES Demonstrate High-Speed Operation of 128 Mb Density STT-MRAM Using an Advantest Memory Test System"
2018/12/5
66 Jpubb
「当社メモリ・テスト・システムによる128 Mb 密度STT-MRAM の高速動作実証実験に成功」
2018/12/5
65 日本経済新聞電子版
「東北大、100Mb超密度書き込み速度性能を有するキャッシュアプリケーション向け128Mb密度STT-MRAMの開発に成功 」
2018/12/5
64 日本経済新聞電子版
「東北大など、磁気ランダムアクセスメモリの高性能化と高書き換え耐性の両立に成功  」
2018/12/5
63 日本経済新聞電子版
「アドバンテスト、東北大と「スピン注入型磁気ランダム・アクセス・メモリ(STT-MRAM)」の高速動作実証実験に成功 」
2018/12/5
62 日本の研究.com
「反強磁性金属ヘテロ構造における磁気抵抗効果を室温で観測」
2018/11/26
61 中時電子報
「《科技》爱德万测试携日东北大，STT-MRAM实务应用获突破」
2018/11/22
60 Yahoo!奇摩
「《科技》愛德萬測試攜日東北大，STT-MRAM實務應用獲突破」
2018/11/22
59 工商時報
「上市、櫃企業營運快報」
2018/11/21
58 Yahoo!奇摩
「《科技》愛德萬研發記憶測試系統STT-MRAM」
2018/11/21
57 中時電子報
「爱德万研发记忆测试系统STT-MRAM 」
2018/11/21
56 AIP Scilight,
"Room-temperature magnetoresistance achieved in a metallic antiferromagnetic material",
2018/11/15
55 All about TEST,
"Switching Current Measurement for Memory Test Systems",
2018/11/15
54 Asia RESEARCH NEWS,
"CIES and Advantest develop STT-MRAM switching current measurement for memory test systems",
2018/11/12
53 Career Biotech,
"CIES and Advantest develop STT-MRAM switching current measurement for memory test systems",
2018/11/12
52 Bioengineer.org,
"CIES and Advantest develop STT-MRAM switching current measurement for memory test systems",
2018/11/12
51 AlphaGalileo,
"メモリ・テスト・システムによる、 磁気ランダム・アクセス・メモリ(STT-MRAM)の スイッチング電流測定技術を確立",
2018/11/12
50 PHARMA JOBS,
"CIES and Advantest develop STT-MRAM switching current measurement for memory test systems",
2018/11/12
49 15MINUTE NEWS,
"CIES and Advantest develop STT-MRAM switching current measurement for memory test systems",
2018/11/11
48 NewsLocker,
"CIES and Advantest develop STT-MRAM switching current measurement for memory test systems",
2018/11/11
47 Itmedia
「STT-MRAMの不良解析を高精度・高効率で実現」
2018/11/5
46 TechEyesOnline
「STT-MRAMの不良解析を高精度・高効率で実現」
2018/11/5
45 EE Times Japan
「STT-MRAMの不良解析を高精度・高効率で実現」
2018/11/5
44 EurekAlert!,
"CIES and Advantest Develop STT-MRAM Switching Current Measurement for Memory Test Systems ",
2018/11/2
43 eeNews EMBEDDED,
"MRAM switching current measurement developed for memory test systems",
2018/11/1
42 化学工業日報
「アドバンテストー東北大　次世代メモリー測定技術」
2018/11/1
41 Owler
"Advantest : Develops STT-MRAM Switching Current Measurement for Memory Test Systems",
2018/10/31
40 日本の研究.com
「メモリ・テスト・システムによる、 磁気ランダム・アクセス・メモリ(STT-MRAM)の スイッチング電流測定技術を確立 アドバンテストとの共同研究、STT-MRAMの不良解析と実用化に大きく前進」
2018/10/31
39 PRESSEBOX
"Advantest Develops STT-MRAM Switching Current Measurement for Memory Test Systems"
2018/10/31
38 MarketScreener
"Advantest Develops STT-MRAM Switching Current Measurement for Memory Test Systems"
2018/10/31
37 Public.
"Advantest Develops STT-MRAM Switching Current Measurement for Memory Test Systems"
2018/10/31
36 Electronic Specifier
"Duo develop STT-MRAM testing module",
2018/10/31
35 eeNews EUROPE
"MRAM switching current measurement developed for memory test systems"
2018/10/31
34 eeNews TEST&MEASUREMENT
"MRAM switching current measurement developed for memory test systems"
2018/10/31
33 日本経済新聞電子版
「アドバンテスト、東北大とメモリ・テスト・システムによる磁気ランダム・アクセス・メモリのスイッチング電流測定技術を確立 」
2018/10/31
32 Jpubb
「メモリ・テスト・システムによる、磁気ランダム・アクセス・メモリ（STT-MRAM）のスイッチング電流測定技術を確立 」
2018/10/31
31 ADVANTEST
「メモリ・テスト・システムによる、磁気ランダム・アクセス・メモリ（STT-MRAM）のスイッチング電流測定技術を確立 」
2018/10/31
30 日刊工業新聞
「卓越大学院」始動
29面、2018/10/11
29 日刊工業新聞電子版
「卓越大学院」始動　文科省、東大など13大学15件採択
2018/10/11
28 マイナビニュース
「Samsungが注力するファウンドリビジネス - 7nmはEUVを完全採用」
2018/9/5
27 日本経済新聞
「《ビジョン》遠藤哲郎センター長 研究現場も国際化必須」
27面、2018/6/27
26 日本経済新聞電子版
「《ビジョン》遠藤哲郎センター長 研究現場も国際化必須」
2018/6/27
25 日本経済新聞
「東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 企業が賄う共同研究」
27面、2018/6/27
24 日本経済新聞電子版
「東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター 企業が賄う共同研究」
2018/6/27
23 日刊工業新聞電子版
「アドバンテスト、ＳＴＴ―ＭＲＡＭ向け検査装置　20年度めど投入」
2018/6/8
22 Yahoo!JAPAN ニュース
「東北の最高学府、「指定国立大学」への覚悟」
2018/5/26
21 ニュースイッチ
「東北の最高学府、「指定国立大学」への覚悟」
2018/5/26
20 日刊工業新聞電子版
「新学長に聞く（２）東北大学総長・大野英男氏　世界最高水準の知を創造」
2018/5/25
19 日刊工業新聞
「世界最高水準の知　創造」
2018/5/25
18 日経産業新聞
「新型メモリー　量産後押し　アドバンテスト・東北大　良品率を改善」
2018/5/22
17 bp-Affairs
「STT-MRAMの開発効率向上と量産化に寄与」
2018/5/22
16 日本経済新聞
「メモリー新技術　容量100万倍以上」
2018/5/21
15 株ライン
「アドバンテスト、次世代メモリの歩留まり率向上と高性能化の実証実験に成功」
2018/5/21
14 Yahoo!Japanファイナンス
「アドバンテスト、次世代メモリの歩留まり率向上と高性能化の実証実験に成功」
2018/5/21
13 NHK おはよう宮城
「どんな大学に　東北大　大野新学長に聞く」
2018/5/18
12 BtoBプラットフォーム業界チャネル
「当社メモリ・テスト・システムを用いたSTT-MRAMの歩留まり率向上と高性能化の実証実験に成功」
2018/5/18
11 ADVANTEST
「当社メモリ・テスト・システムを用いたSTT-MRAMの歩留まり率向上と高性能化の実証実験に成功」
2018/5/18
10 日本経済新聞電子版
「アドバンテストと東北大CIES、次世代メモリ「STT-MRAM」の歩留まり率向上と高性能化の実証実験に成功 」
2018/5/18
9 EE Times Japan
「STT-MRAM用テスト装置、測定が2万倍高速に」
2018/5/17
8 日本の研究.com
「反応性エッチングプロセスの開発による磁気ランダムアクセスメモリ（STT-MRAM）の高性能化と歩留まり率の向上の両立に世界で初めて成功」
2018/5/15
7 日本の研究.com
「キーサイト・テクノロジー合同会社との共同開発の成果により、STT-MRAMの信頼性評価（データ保持時間＝10年）を1.7秒（従来比2万倍の高速化）で可能にする新測定システムの実証に成功」
2018/5/15
6 日本の研究.com
「アドバンテスト社製メモリテスターを用いて、 磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)の 歩留まり率の向上と高性能化を実証 300mm ウェハ全面における平均値で歩留まり率の向上(91%から 97%)と、 高速動作特性の向上を実証する実験に成功」
2018/5/15
5 fab cross for エンジニア
「STT－MRAMの高性能化と高歩留まりを両立させる技術を開発　東北大と東京エレクトロン」
2018/5/15
4 日本経済新聞電子版
「東北大、アドバンテスト社製メモリテスターを用いて磁気ランダムアクセスメモリの歩留まり率の向上と高性能化を実証 」
2018/5/14
3 日本経済新聞電子版
「東北大、反応性イオンエッチングプロセスの開発による磁気ランダムアクセスメモリの高性能化と歩留まり率の向上の両立に成功 」
2018/5/14
2 電子デバイス産業新聞
「混載用途でMRAMの実用化目前　新方式で大容量化の道開く」
2018/4/20
1 semiconportal
「MRAMは商品化と10nmの限界を極める研究の2本立て」
2018/4/4