CIESコンソーシアム

国家プロジェクト

JSPS 研究拠点形成事業

研究拠点形成事業　ーA.先端拠点形成型ー
「スピントロニクス・二次元物質の縦型素子」

　本研究テーマは、次世代のスピントロニクス技術を創製するために、現在のスピントロニクス技術に二次元物質を相乗させて、新しい縦型素子を提案するものである。日本、英国、仏国に加えて米国の特徴ある研究を融合することを目的としている。

1. 日英連携
   英国ケンブリッジ大学は世界トップレベルの二次元物質の製膜技術および理論解析を有している。日本のスピントロニクス技術を融合させ、新しい二次元物質を障壁層とした縦型素子の作製を行う。
2. 日仏連携
   仏国CNRS/Thalesは2007年にノーベル物理学賞を受賞したA.Fert博士を筆頭に最先端のスピントロニクス基礎理論の構築を行ってきた。本研究では、二次元物質の高度な最先端加工技術により新しいスピントロニクス素子の創製に寄与する。
3. 日米連携
   スピントロニクス素子の新しい用途として、バイオセンシングに関してスタンフォード大学と連携する。