CIESコンソーシアム

国家プロジェクト

NEDO ポスト5G情報通信システム基盤強化研究開発事業

先導研究（助成）／半導体プロセス1.5nmノード以降の不揮発性MRAMの微細加工基盤技術の研究開発

　スマホやIoT・AIプロセッサ等のエッジ側システムのポスト5G時代の低遅延性の実現のためには、電力供給制限環境下での高度なエッジコンピューティングを行う必要があります。しかしながら、従来のシリコン技術の延長線上での1.5nmノード以降の技術開発では継続して消費電力と演算性能のジレンマが課題となり、エッジシステムの性能向上や事業領域拡大に制限が生じます。
　本提案では1.5nmノード以降の不揮発性MRAMの微細加工技術の研究開発を行うことにより、MRAM ／ CMOS混載LSI技術に基づく不揮発化と微細化による低消費電力化により消費電力と演算性能のジレンマの解決に貢献します。これにより、ポスト5G時代の低消費電力性と低遅延性を有するエッジ側システムの実現と、その社会実装によるシナジー効果としてカーボンニュートラルへの貢献が図られます。
　本研究開発における具体的な役割としては、東京エレクトロン株式会社(TEL)が1.5nmノード以降に向けたMTJピッチでのRIEエッチング基盤技術の開発を担当、東北大学国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)は共同研究としてその微細加工基盤技術検証につなげる集積プロセス開発・試作・評価を担当し、2社が一体となって半導体プロセス1.5nmノード以降に向けた不揮発性MRAMの微細加工基盤技術を構築します。